STMicroelectronics STN N-Channel MOSFET, 1 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L
- N° de stock RS:
- 151-425
- Référence fabricant:
- STN4NF20L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 20 unités)*
10,62 €
(TVA exclue)
12,86 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 2 600 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,531 € | 10,62 € |
| 200 - 980 | 0,331 € | 6,62 € |
| 1000 - 1980 | 0,252 € | 5,04 € |
| 2000 + | 0,226 € | 4,52 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-425
- Référence fabricant:
- STN4NF20L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | STN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series STN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
Liens connexes
- STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L
- STMicroelectronics STN6N60M2 Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 3-Pin SOT-223
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN1NK60Z
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223
- onsemi QFET Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 FQT4N20LTF
- Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP297H6327XTSA1
- STMicroelectronics STripFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223