STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L
- N° de stock RS:
- 151-425
- Référence fabricant:
- STN4NF20L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,255 € | 5,10 € |
| 200 - 480 | 0,242 € | 4,84 € |
| 500 - 980 | 0,223 € | 4,46 € |
| 1000 - 1980 | 0,206 € | 4,12 € |
| 2000 + | 0,198 € | 3,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-425
- Référence fabricant:
- STN4NF20L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Series | STN | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Series STN | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge
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