STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L
- N° de stock RS:
- 151-424
- Référence fabricant:
- STN4NF20L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
784,00 €
(TVA exclue)
948,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 15 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,196 € | 784,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-424
- Référence fabricant:
- STN4NF20L
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Series | STN | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.3W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Series STN | ||
Package Type SOT-223 | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.3W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters.
Exceptional dv/dt capability
100% avalanche tested
Low gate charge