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STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L

N° de stock RS:: 151-424
Référence fabricant:: STN4NF20L
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STN Type N-Channel MOSFET, 1 A, 200 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 STN4NF20L

Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*

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N° de stock RS:: 151-424
Référence fabricant:: STN4NF20L
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	200V
	Series	STN
	Package Type	SOT-223
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	3.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.9nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 200V
	Series STN
	Package Type SOT-223
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 3.3W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.9nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - STN4NF20L

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics Power MOSFET series has been developed using STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in Advanced high efficiency isolated DC to DC converters.

Exceptional dv/dt capability

100% avalanche tested

Low gate charge

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