onsemi NGTB35N65FL2WG IGBT, 70 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

11,99 €

(TVA exclue)

14,508 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 8 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
  • Plus 22 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 185,995 €11,99 €
20 +5,165 €10,33 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
842-7898
Référence fabricant:
NGTB35N65FL2WG
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

70 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

300 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

16.26 x 5.3 x 21.08mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

IGBT Discretes, ON Semiconductor


Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.


IGBT Discretes, ON Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes