STMicroelectronics STGF3NC120HD, Type N-Channel IGBT, 6 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

10,74 €

(TVA exclue)

12,995 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Commandes ci-dessous 75,00 € coût (TVA exclue) 5,95 €.
En stock
  • 1 360 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 202,148 €10,74 €
25 - 452,04 €10,20 €
50 - 1201,838 €9,19 €
125 - 2451,654 €8,27 €
250 +1,572 €7,86 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
795-9094
Référence fabricant:
STGF3NC120HD
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

6A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

25W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.8V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

16.4mm

Length

10.4mm

Width

4.6 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes