STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 6 A 1200 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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N° de stock RS:
168-7740
Référence fabricant:
STGF3NC120HD
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

6A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

25W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4.6 mm

Height

16.4mm

Length

10.4mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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