STMicroelectronics STGFW30V60DF IGBT, 60 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

6,82 €

(TVA exclue)

8,26 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 30 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 83,41 €6,82 €
10 - 183,24 €6,48 €
20 - 482,915 €5,83 €
50 - 982,62 €5,24 €
100 +2,485 €4,97 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
792-5779
Référence fabricant:
STGFW30V60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

60 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

58 W

Package Type

TO-3PF

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes