onsemi FGAF40N60UFTU, Type N-Channel IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

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759-9257
Référence fabricant:
FGAF40N60UFTU
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Package Type

TO-3PF

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

130ns

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Series

UF

Length

26.5mm

Standards/Approvals

AEC, RoHS

Height

5.45mm

Width

23 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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