onsemi FGAF40N60UFTU IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 unité)*

1,25 €

(TVA exclue)

1,51 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 643 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 +1,25 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
759-9257
Référence fabricant:
FGAF40N60UFTU
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

40 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

100 W

Package Type

TO-3PF

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.5 x 5.5 x 26.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Pays d'origine :
CN

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor



IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes