onsemi FGAF40N60SMD, Type N-Channel IGBT, 80 A 600 V, 3-Pin TO-3PF, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

10,08 €

(TVA exclue)

12,20 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 188 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 185,04 €10,08 €
20 +4,345 €8,69 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
807-0763
Référence fabricant:
FGAF40N60SMD
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

115W

Package Type

TO-3PF

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.9V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Field Stop

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes