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Semikron Danfoss SKM400GAL12E4, Type N-Channel IGBT4 Module, 40 A 1200 V, 5-Pin SEMITRANS3, Surface

N° de stock RS:: 687-4989
Référence fabricant:: SKM400GAL12E4
Fabricant:: Semikron Danfoss

Semikron Danfoss SKM400GAL12E4, Type N-Channel IGBT4 Module, 40 A 1200 V, 5-Pin SEMITRANS3, Surface

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N° de stock RS:: 687-4989
Référence fabricant:: SKM400GAL12E4
Fabricant:: Semikron Danfoss

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Semikron Danfoss
	Maximum Continuous Collector Current Ic	40A
	Product Type	IGBT4 Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1200V
	Package Type	SEMITRANS3
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	5
	Switching Speed	12kHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.4V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	SEMITRANS 3 GAL
	Standards/Approvals	IEC 60747-1, UL E63532
	Height	30.5mm
	Length	106.4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Semikron Danfoss
	Maximum Continuous Collector Current Ic 40A
	Product Type IGBT4 Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V
	Package Type SEMITRANS3
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 5
	Switching Speed 12kHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.4V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series SEMITRANS 3 GAL
	Standards/Approvals IEC 60747-1, UL E63532
	Height 30.5mm
	Length 106.4mm
	Automotive Standard No

Single IGBT Modules

SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.

IGBT Modules, Semikron

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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