Semikron Danfoss SKM150GAR12T4, Type N-Channel Fast IGBT4 Module, 232 A 1200 V, 5-Pin SEMITRANS2, Surface

Visuel non contractuel

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

98,94 €

(TVA exclue)

119,72 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 48 unité(s) expédiée(s) à partir du 02 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 998,94 €
10 - 1973,51 €
20 +69,86 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
687-4955
Référence fabricant:
SKM150GAR12T4
Fabricant:
Semikron Danfoss
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Semikron Danfoss

Product Type

Fast IGBT4 Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

232A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Package Type

SEMITRANS2

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

5

Switching Speed

180ns

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.4V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 60747-1

Series

GAR

Length

94mm

Height

30.1mm

Width

34 mm

Automotive Standard

No

Single IGBT Modules


SEMIKRON offers IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) modules in SEMITRANS, SEMiX and SEMITOP packages in different topologies, current and voltage ratings.

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes