Semikron Danfoss SKM400GB12E4, Type N-Channel IGBT Module, 616 A 1200 V, 7-Pin SEMITRANS, Screw

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

262,41 €

(TVA exclue)

317,52 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 18 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
  • Plus 48 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 mars 2026
  • Plus 12 unité(s) expédiée(s) à partir du 01 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 1262,41 €
2 - 4237,75 €
5 +227,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
125-1114
Référence fabricant:
SKM400GB12E4
Fabricant:
Semikron Danfoss
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Semikron Danfoss

Maximum Continuous Collector Current Ic

616A

Product Type

IGBT Module

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Number of Transistors

2

Package Type

SEMITRANS

Mount Type

Screw

Channel Type

Type N

Pin Count

7

Switching Speed

12kHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

175°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.05V

Maximum Operating Temperature

-40°C

Series

SKM400GB12E4

Height

30.5mm

Length

106.4mm

Standards/Approvals

No

Width

61.4 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
SK

Dual IGBT Modules


A range of SEMITOP® IGBT modules from Semikron incorporating two series-connected (half bridge) IGBT devices. The modules are available in a wide range of voltage and current ratings and are suitable for a variety of power switching applications such as AC inverter motor drives and Uninterruptible Power Supplies.

Compact SEMITOP® package

Suitable for switching frequencies up to 12kHz

Insulated copper baseplate using Direct Bonded Copper technology

IGBT Modules, Semikron


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes