STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

892,50 €

(TVA exclue)

1 080,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 08 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,357 €892,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
287-7044
Référence fabricant:
STGD4H60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

4A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Package Type

TO-252

Configuration

Single Collector

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

1.7mm

Width

6.7mm

Height

2.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Trench gate field stop is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Low thermal resistance

Short circuit rated

Soft and fast recovery antiparallel diode

Liens connexes