STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin TO-252, Surface

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

0,95 €

(TVA exclue)

1,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 30 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 280,475 €0,95 €
30 - 580,43 €0,86 €
60 - 1180,385 €0,77 €
120 - 2380,345 €0,69 €
240 +0,305 €0,61 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
287-7045
Référence fabricant:
STGD4H60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

4A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

75W

Number of Transistors

1

Package Type

TO-252

Configuration

Single Collector

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.7 mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

2.3mm

Length

1.7mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Trench gate field stop is an IGBT developed using an Advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Low thermal resistance

Short circuit rated

Soft and fast recovery antiparallel diode

Liens connexes