STMicroelectronics STGD4H60DF Single Collector, Single Emitter, Single Gate IGBT, 4 A 600 V, 3-Pin DPAK, Surface Mount

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

0,95 €

(TVA exclue)

1,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 280,475 €0,95 €
30 - 580,43 €0,86 €
60 - 1180,385 €0,77 €
120 - 2380,345 €0,69 €
240 +0,305 €0,61 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
287-7045
Référence fabricant:
STGD4H60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

4 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

75 W

Number of Transistors

1

Package Type

DPAK

Configuration

Single Collector, Single Emitter, Single Gate

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics Trench gate field stop is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. This device is part of the H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of high switching frequency converters. Moreover, a slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

Low thermal resistance
Short circuit rated
Soft and fast recovery antiparallel diode

Liens connexes