Infineon IKB10N60TATMA1 IGBT, 24 A 600 V TO-263
- N° de stock RS:
- 258-7725
- Référence fabricant:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 2,618 € | 13,09 € |
| 25 - 45 | 2,356 € | 11,78 € |
| 50 - 120 | 2,228 € | 11,14 € |
| 125 - 245 | 2,066 € | 10,33 € |
| 250 + | 1,916 € | 9,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-7725
- Référence fabricant:
- IKB10N60TATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 24A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 110W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 24A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 110W | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT discrete with anti parallel diode in TO-263 package. It has significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench cell and field stop concept. It has low conduction and switching losses also.
Lowest VCEsat drop for lower conduction losses
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
Very soft, fast recovery antiparallel emitter controlled diode
High ruggedness, temperature stable behaviour
Low gate charg
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