Infineon IKP08N65H5XKSA1, Type N-Channel IGBT, 18 A 650 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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N° de stock RS:
273-2972
Référence fabricant:
IKP08N65H5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

18A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

70W

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.57mm

Standards/Approvals

JEDEC, RoHS

Length

15.95mm

Series

TrenchStop

Width

10.38 mm

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT in a TO-220 package compacted with fast and soft RAPID 1 anti parallel diode.

650 V breakthrough voltage

Mild positive temperature coefficient

Higher power density design

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