Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole
- N° de stock RS:
- 273-2956
- Référence fabricant:
- IGB20N65S5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
772,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,772 € | 772,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2956
- Référence fabricant:
- IGB20N65S5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.35V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | TRENCHSTOPTM5 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.35V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series TRENCHSTOPTM5 | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.
Gate drivers with Miller clamping not required
Reduction in the EMI filtering needed
Excellent for paralleling