Infineon IGB20N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 40 A 650 V, 3-Pin TO-263, Through Hole

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N° de stock RS:
273-2956
Référence fabricant:
IGB20N65S5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Package Type

TO-263

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.35V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Series

TRENCHSTOPTM5

Automotive Standard

No

The Infineon IGBT with anti parallel diode in TO263 package is suitable for use with single turn on or turn off gate resistor.

Gate drivers with Miller clamping not required

Reduction in the EMI filtering needed

Excellent for paralleling

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