Infineon IGB50N65S5ATMA1, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-263, Surface

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

15,30 €

(TVA exclue)

18,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 203,06 €15,30 €
25 - 452,752 €13,76 €
50 - 1202,57 €12,85 €
125 - 2452,388 €11,94 €
250 +2,234 €11,17 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
226-6063
Référence fabricant:
IGB50N65S5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Package Type

PG-TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

TrenchStop

Automotive Standard

No

The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C

Maximum junction temperature Tvj 175°C

four times nominal current

Liens connexes