Infineon FP100R12N2T7BPSA2, Type N-Channel Common Emitter IGBT, 100 A 1200 V, 31-Pin Module, Panel
- N° de stock RS:
- 273-2919
- Référence fabricant:
- FP100R12N2T7BPSA2
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 plateau de 15 unités)*
1 050,12 €
(TVA exclue)
1 270,65 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 15 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 70,008 € | 1 050,12 € |
| 30 + | 68,257 € | 1 023,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 273-2919
- Référence fabricant:
- FP100R12N2T7BPSA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Configuration | Common Emitter | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Panel | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 31 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.72V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | |
| Length | 122mm | |
| Height | 20.5mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Configuration Common Emitter | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Panel | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 31 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.72V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals IEC 60749, IEC 60747, IEC 60068 | ||
Length 122mm | ||
Height 20.5mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon three phase PIM IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7, emitter controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings.
High reliability and power density
Copper base plate for optimized heat spread
High power density
Solder contact technology