Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Module, 50 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 259-1527
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
8,11 €
(TVA exclue)
9,814 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 152 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,055 € | 8,11 € |
| 10 - 18 | 3,65 € | 7,30 € |
| 20 - 48 | 3,41 € | 6,82 € |
| 50 - 98 | 3,17 € | 6,34 € |
| 100 + | 2,96 € | 5,92 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1527
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 305W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 305W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon new TRENCHSTOPIGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stabilit
Liens connexes
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65H5FKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65F5FKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IKW50N65RH5XKSA1 IGBT Module 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module, 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon IKW75N65SS5XKSA1 IGBT Module, 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon IGBT 3-Pin PG-TO-247
- Infineon IGBT Module 3-Pin PG-TO-247