Infineon IGBT Module, 50 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 259-1526
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,218 € | 66,54 € |
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| 150 + | 2,018 € | 60,54 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1526
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 305W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, JEDEC | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 305W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, JEDEC | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon new TRENCHSTOPIGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stabilit
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