Infineon IGW50N65F5FKSA1 IGBT Transistor Module, 80 A 650 V PG-TO247-3
- N° de stock RS:
- 259-1526
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 2,218 € | 66,54 € |
| 60 - 120 | 2,107 € | 63,21 € |
| 150 + | 2,018 € | 60,54 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 259-1526
- Référence fabricant:
- IGW50N65F5FKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V | |
| Maximum Power Dissipation | 305 W | |
| Package Type | PG-TO247-3 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V | ||
Maximum Power Dissipation 305 W | ||
Package Type PG-TO247-3 | ||
The Infineon new TRENCHSTOPIGBT technology redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow. It has best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability. 50V increase in the bus voltage possible without compromising reliability.
650V breakthrough voltage
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
Temperature stabilit
Compared to Infineon’s Best-in-class HighSpeed 3 family
Factor 2.5 lower Q g
Factor 2 reduction in switching losses
200mV reduction in V CE(sat)
Low C OES/E OSS
Mild positive temperature coefficient V CE(sat)
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