Infineon IGBT, 50 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247
- N° de stock RS:
- 244-2918
- Référence fabricant:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-2918
- Référence fabricant:
- IKW50N65WR5XKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 50A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 282W | |
| Package Type | PG-TO-247 | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 16.13 mm | |
| Length | 41.42mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Series | Reverse Conducting | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 50A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 282W | ||
Package Type PG-TO-247 | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 16.13 mm | ||
Length 41.42mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Series Reverse Conducting | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon Monolithic diode optimized for PFC and welding applications. It has stable temperature behavior and very low VCEsat and low Eoff also Easy parallel switching capability based on positive temperature coefficient of VCEsat.
Low EMI
Low electrical parameters depending(dependence) on temperature
Qualified according to JESD-022 for target applications
Pb-free lead plating
Ro HS compliant
Complete product spectrum and Pspice Models
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