Infineon FP75R12N2T7PB11BPSA1 IGBT 1200 V

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253-9837
Référence fabricant:
FP75R12N2T7PB11BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

FP75R12N2T7PB11B

Height

17mm

Length

107.5mm

Width

45 mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon FP75 series is a EconoPIM 2 module with IGBT and emitter controlled diode and PressFIT or NTC or TIM.

Low VCEsat

Overload operation up to 175°C

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

PessFIT contact technology

Pre-applied thermal interface material

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