Infineon IGBT 1200 V

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

939,70 €

(TVA exclue)

1 137,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 10 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le plateau*
10 +93,97 €939,70 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
253-9836
Référence fabricant:
FP75R12N2T7PB11BPSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

107.5mm

Width

45 mm

Series

FP75R12N2T7PB11B

Height

17mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon FP75 series is a EconoPIM 2 module with IGBT and emitter controlled diode and PressFIT or NTC or TIM.

Low VCEsat

Overload operation up to 175°C

High power and thermal cycling capability

Integrated NTC temperature sensor

Copper base plate

PessFIT contact technology

Pre-applied thermal interface material

Liens connexes