STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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202-5514
Référence fabricant:
STGWA30HP65FB
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

260W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

15.9mm

Height

5.1mm

Series

STG

Standards/Approvals

RoHS

Width

21.1 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.

Low thermal resistance

Very fast soft recovery antiparallel diode

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