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STMicroelectronics STGWA30HP65FB, N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

N° de stock RS:: 202-5514
Référence fabricant:: STGWA30HP65FB
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGWA30HP65FB, N-Channel IGBT, 30 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:: 202-5514
Référence fabricant:: STGWA30HP65FB
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	30A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	650V
	Maximum Power Dissipation Pd	260W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	21.1mm
	Series	STG
	Length	15.9mm
	Height	5.1mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 30A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V
	Maximum Power Dissipation Pd 260W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Width 21.1mm
	Series STG
	Length 15.9mm
	Height 5.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - STGWA30HP65FB

The STMicroelectronics high speed HB series IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter.

Low thermal resistance

Very fast soft recovery antiparallel diode

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