Références fabricant

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface

N° de stock RS:: 245-6974
Référence fabricant:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface

Sous-total (1 unité)*

171,14 €

(TVA exclue)

207,08 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 14 juillet 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 +	171,14 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 245-6974
Référence fabricant:: NXH350N100H4Q2F2P1G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1000V
	Maximum Power Dissipation Pd	592W
	Number of Transistors	4
	Package Type	Q2PACK
	Mount Type	Surface
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	12.3mm
	Length	93.1mm
	Width	47.3 mm
	Series	NXH350N100H4Q2F2P1G
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1000V
	Maximum Power Dissipation Pd 592W
	Number of Transistors 4
	Package Type Q2PACK
	Mount Type Surface
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Height 12.3mm
	Length 93.1mm
	Width 47.3 mm
	Series NXH350N100H4Q2F2P1G
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2P1G

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.

Extremely efficient trench with field stop technology

Low switching loss reduces system power dissipation

Module design offers high power density

Low inductive layout

Low package height

These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant

onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

Liens connexes