onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface
- N° de stock RS:
- 245-6974
- Référence fabricant:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 245-6974
- Référence fabricant:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1000V | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 592W | |
| Package Type | Q2PACK | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 12.3mm | |
| Series | NXH350N100H4Q2F2P1G | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 93.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1000V | ||
Number of Transistors 4 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 592W | ||
Package Type Q2PACK | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 12.3mm | ||
Series NXH350N100H4Q2F2P1G | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 93.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Extremely efficient trench with field stop technology
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant
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