onsemi IGBT Module 1000 V Q2PACK, Surface
- N° de stock RS:
- 245-6973
- Référence fabricant:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Fabricant:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 36 + | 155,143 € | 5 585,15 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 245-6973
- Référence fabricant:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1000V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 592W | |
| Number of Transistors | 4 | |
| Package Type | Q2PACK | |
| Mount Type | Surface | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | NXH350N100H4Q2F2P1G | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 93.1mm | |
| Height | 12.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1000V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 592W | ||
Number of Transistors 4 | ||
Package Type Q2PACK | ||
Mount Type Surface | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series NXH350N100H4Q2F2P1G | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 93.1mm | ||
Height 12.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins
The ON Semiconductor Three Level NPC Q2Pack Module is a high density, integrated power module combines high performance IGBTs with rugged anti parallel diodes.
Extremely efficient trench with field stop technology
Low switching loss reduces system power dissipation
Module design offers high power density
Low inductive layout
Low package height
These devices are Pb free, Halogen Free and are RoHS Compliant
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