Références fabricant

Infineon FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V

N° de stock RS:: 244-5829
Référence fabricant:: FF900R12IP4BOSA2
Fabricant:: Infineon

Infineon FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V

Sous-total (1 plateau de 3 unités)*

1 611,921 €

(TVA exclue)

1 950,423 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	le plateau*
3 +	537,307 €	1 611,92 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 244-5829
Référence fabricant:: FF900R12IP4BOSA2
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	900 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	5.1 kW
	Number of Transistors	2

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 900 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 5.1 kW
	Number of Transistors 2

Datasheet - FF900R12IP4BOSA2

The infineon IGBT module is suitable for auxiliary inverters, high power converters, motor drives, traction drives, ups systems, wind turbines etc.

Electrical features
Extended operation temperature Tvj op
High DC stability
High short circuit capability, self limiting short circuit current
Unbeatable robustness
VCEsat with positive temperature coefficient

Infineon FF900R12IP4BOSA2 IGBT Module, 900 A 1200 V

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