Infineon IKW50N65WR5XKSA1 IGBT, 50 A 650 V PG-TO247-3

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
244-2919
Référence fabricant:
IKW50N65WR5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

50 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Maximum Power Dissipation

282 W

Package Type

PG-TO247-3

The Infineon Monolithic diode optimized for PFC and welding applications. It has stable temperature behavior and very low VCEsat and low Eoff also Easy parallel switching capability based on positive temperature coefficient of VCEsat.

Low EMI
Low electrical parameters depending(dependence) on temperature
Qualified according to JESD-022 for target applications
Pb-free lead plating
Ro HS compliant
Complete product spectrum and Pspice Models

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