onsemi FGH4L40T120LQD IGBT, 80 A 1200 V TO-247

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241-0724
Référence fabricant:
FGH4L40T120LQD
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

30

Maximum Power Dissipation

153 W

Package Type

TO-247

The ON Semiconductor 1200 V, 40 A ultra field stop IGBT. This IGBT uses a fast switching co-packed diode making it ideal for use in hard-switching applications where EON, IRRM and trr are important factors determining the losses. Ultra Field Stop IGBTs offers excellent switching losses for low conduction loss devices.

Low VCE(SAT) 1.55V at 40A
EON 1.04mJ at 600V/40A
EOFF 1.35mJ at 600V/40A
IRRM 41.3A at 175C 1A/ns 40A

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