onsemi FGH4L40T120LQD IGBT, 80 A 1200 V TO-247
- N° de stock RS:
- 241-0724
- Référence fabricant:
- FGH4L40T120LQD
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 241-0724
- Référence fabricant:
- FGH4L40T120LQD
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 80 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Number of Transistors | 30 | |
| Maximum Power Dissipation | 153 W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 80 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Number of Transistors 30 | ||
Maximum Power Dissipation 153 W | ||
Package Type TO-247 | ||
The ON Semiconductor 1200 V, 40 A ultra field stop IGBT. This IGBT uses a fast switching co-packed diode making it ideal for use in hard-switching applications where EON, IRRM and trr are important factors determining the losses. Ultra Field Stop IGBTs offers excellent switching losses for low conduction loss devices.
Low VCE(SAT) 1.55V at 40A
EON 1.04mJ at 600V/40A
EOFF 1.35mJ at 600V/40A
IRRM 41.3A at 175C 1A/ns 40A
EON 1.04mJ at 600V/40A
EOFF 1.35mJ at 600V/40A
IRRM 41.3A at 175C 1A/ns 40A
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