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Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130

N° de stock RS:: 236-5198
Référence fabricant:: FZ825R33HE4DBPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130

Sous-total (1 plateau de 2 unités)*

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N° de stock RS:: 236-5198
Référence fabricant:: FZ825R33HE4DBPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	825A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	3300V
	Number of Transistors	2
	Maximum Power Dissipation Pd	2400kW
	Configuration	Single
	Package Type	AG-IHVB130
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.65V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	109.9mm
	Height	16.4mm
	Standards/Approvals	60749, 60068, IEC 60747
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 825A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3300V
	Number of Transistors 2
	Maximum Power Dissipation Pd 2400kW
	Configuration Single
	Package Type AG-IHVB130
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.65V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 109.9mm
	Height 16.4mm
	Standards/Approvals 60749, 60068, IEC 60747
	Automotive Standard No

Datasheet - FZ825R33HE4DBPSA1

The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

VCES is 3300 V

IC nom is 825 A

ICRM is 1650 A

It retains high current density

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