Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130

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N° de stock RS:
236-5198
Référence fabricant:
FZ825R33HE4DBPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

825 A

Maximum Collector Emitter Voltage

3300 V

Number of Transistors

2

Maximum Power Dissipation

2400 kW

Configuration

Single

Package Type

AG-IHVB130

The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

VCES is 3300 V
IC nom is 825 A
ICRM is 1650 A
It retains high current density

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