Infineon FZ825R33HE4DBPSA1 Single IGBT Module, 825 A 3300 V AG-IHVB130
- N° de stock RS:
- 236-5199
- Référence fabricant:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 236-5199
- Référence fabricant:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT Module | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 825A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 3300V | |
| Number of Transistors | 2 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2400kW | |
| Package Type | AG-IHVB130 | |
| Configuration | Single | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 2.65V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| Length | 109.9mm | |
| Height | 16.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT Module | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 825A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3300V | ||
Number of Transistors 2 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2400kW | ||
Package Type AG-IHVB130 | ||
Configuration Single | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.65V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals 60749, 60068, IEC 60747 | ||
Length 109.9mm | ||
Height 16.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.
VCES is 3300 V
IC nom is 825 A
ICRM is 1650 A
It retains high current density
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