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Infineon FZ1600R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 1600 A 3300 V AG-IHVB130

N° de stock RS:: 236-5194
Référence fabricant:: FZ1600R33HE4BPSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon FZ1600R33HE4BPSA1 Single IGBT Module, 1600 A 3300 V AG-IHVB130

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N° de stock RS:: 236-5194
Référence fabricant:: FZ1600R33HE4BPSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic	1600A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	3300V
	Number of Transistors	2
	Maximum Power Dissipation Pd	3600kW
	Package Type	AG-IHVB130
	Configuration	Single
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	3.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	109.9mm
	Height	16.4mm
	Standards/Approvals	IEC 60747, 60749 and 60068
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type IGBT Module
	Maximum Continuous Collector Current Ic 1600A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 3300V
	Number of Transistors 2
	Maximum Power Dissipation Pd 3600kW
	Package Type AG-IHVB130
	Configuration Single
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 3.25V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 109.9mm
	Height 16.4mm
	Standards/Approvals IEC 60747, 60749 and 60068
	Automotive Standard No

Datasheet - FZ1600R33HE4BPSA1

The Infineon single switch IGBT Module is with TRENCHSTOP™ IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode. This module has high power density and AlSiC base plate for increased thermal cycling capability.

VCES is 3300 V

IC nom is 1600 A

ICRM is 3200 A

It retains high current density

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