Infineon FZ1800R45HL4S7BPSA1 Single IGBT Module, 1.8 kA 4500 V AG-IHVB190

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N° de stock RS:
236-5196
Référence fabricant:
FZ1800R45HL4S7BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Module

Maximum Continuous Collector Current Ic

1.8kA

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

4500V

Maximum Power Dissipation Pd

4000kW

Number of Transistors

3

Configuration

Single

Package Type

AG-IHVB190

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

3.15V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

25 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

140 mm

Length

190mm

Height

38.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon single switch IGBT Module with Trench/Field stop IGBT4, Emitter Controlled 4 diode and isolated AlSiC base plate is the best solution for HVDC applications. It has high DC stability and high dynamic robustness.

VCES is 4500 V

IC nom is 1800 A

ICRM is 3600 A

It has high short circuit capability

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