Infineon FF600R12KT4HOSA1 Dual IGBT Module, 600 A 1200 V AG-62MM

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233-3498
Référence fabricant:
FF600R12KT4HOSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

600 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Number of Transistors

2

Package Type

AG-62MM

Configuration

Dual

Channel Type

N

Transistor Configuration

Series

The Infineon dual fast trench IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode.

Highest power density
Flexibility
Optimal electrical performance
Highest reliability

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