Références fabricant

Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 600 A 1.2 kV, 7-Pin AG-62MM, Surface

N° de stock RS:: 233-3496
Référence fabricant:: FF600R12KT4HOSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon, Type N-Channel IGBT Module, 600 A 1.2 kV, 7-Pin AG-62MM, Surface

Sous-total (1 plateau de 10 unités)*

1 612,08 €

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10 +	161,208 €	1 612,08 €

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N° de stock RS:: 233-3496
Référence fabricant:: FF600R12KT4HOSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic	600A
	Product Type	IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	1.2kV
	Number of Transistors	2
	Package Type	AG-62MM
	Mount Type	Surface
	Channel Type	Type N
	Pin Count	7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.05V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	106.4mm
	Standards/Approvals	60068, 60749, IEC 60747
	Series	FF600R12KT4
	Height	30.9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current Ic 600A
	Product Type IGBT Module
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1.2kV
	Number of Transistors 2
	Package Type AG-62MM
	Mount Type Surface
	Channel Type Type N
	Pin Count 7
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.05V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 106.4mm
	Standards/Approvals 60068, 60749, IEC 60747
	Series FF600R12KT4
	Height 30.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - FF600R12KT4HOSA1

The Infineon dual fast trench IGBT module with TRENCHSTOP IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode.

Highest power density

Flexibility

Optimal electrical performance

Highest reliability

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