Infineon FP200R12N3T7BPSA1, Type N-Channel IGBT, 200 A 1200 V, 46-Pin Module, Chassis
- N° de stock RS:
- 232-6705
- Référence fabricant:
- FP200R12N3T7BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 232-6705
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- FP200R12N3T7BPSA1
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 200A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 1200V | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 20mW | |
| Package Type | Module | |
| Mount Type | Chassis | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 46 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.55V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Series | FP200R12N3T7 | |
| Height | 20.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 122mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 200A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 1200V | ||
Number of Transistors 7 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 20mW | ||
Package Type Module | ||
Mount Type Chassis | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 46 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.55V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Series FP200R12N3T7 | ||
Height 20.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 122mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon's EconoPIM 3, 200 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode and NTC. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.
RoHS-compliant modules
Copper base plate for optimized heat spread
High power density