Infineon, Type N-Channel IGBT, 35 A 1200 V, 23-Pin Module, Chassis

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N° de stock RS:
232-6706
Référence fabricant:
FP35R12N2T7B11BPSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

35A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1200V

Maximum Power Dissipation Pd

20mW

Number of Transistors

7

Package Type

Module

Mount Type

Chassis

Channel Type

Type N

Pin Count

23

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

FP35R12N2T7_B11

Standards/Approvals

No

Length

107.5mm

Height

21.3mm

Automotive Standard

No

The Infineon's EconoPIM 2, 35 A three phase PIM IGBT module comes with TRENCHSTOP IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT contact technology. The PIM (Power Integrated Modules) with integration of rectifier and brake chopper enables system cost savings. Potential applications include auxiliary inverters, motor drives and servo drives.

RoHS-compliant modules

Copper base plate for optimized heat spread

High power density

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