Infineon IHW20N135R5XKSA1, Type N-Channel IGBT Single Transistor IC, 40 A 1350 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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215-6636
Référence fabricant:
IHW20N135R5XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

40A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1350V

Maximum Power Dissipation Pd

310W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.85V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±25 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

Resonant Switching

Standards/Approvals

IEC61249-2-21, RoHS

Height

5.21mm

Length

42mm

Automotive Standard

No

The Infineon reverse conducting insulated-gate bipolar transistor with monolithic body diode offers high breakdown voltage of 1350v.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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