Infineon, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO-263, Surface

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N° de stock RS:
226-6062
Référence fabricant:
IGB50N65S5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

270W

Package Type

PG-TO-263

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

30 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.7V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Series

TrenchStop

Automotive Standard

No

The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C

Maximum junction temperature Tvj 175°C

four times nominal current

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