Infineon IGB50N65S5ATMA1 Single IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO263

Voir l’ensemble des IGBTs

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

1 070,00 €

(TVA exclue)

1 290,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 1 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
1000 +1,07 €1 070,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
226-6062
Référence fabricant:
IGB50N65S5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

80 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

30V

Number of Transistors

1

Maximum Power Dissipation

270 W

Package Type

PG-TO263

Configuration

Single

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

The Infineon IGB50N65S is 50 A IGBT with anti-parallel diode with no need for gate clamping component. In this soft current fall characteristics with no tail current and it is excellent for paralleling.

Very low VCEsat of 1.35 V at 25°C
Maximum junction temperature Tvj 175°C
four times nominal current

Liens connexes

Recently viewed