Infineon IHW40N65R6XKSA1, Type N-Channel IGBT, 83 A 650 V, 3-Pin PG-TO-247, Surface

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N° de stock RS:
225-0574
Référence fabricant:
IHW40N65R6XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current Ic

83A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

210W

Package Type

PG-TO-247

Mount Type

Surface

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

21.5 mm

Series

TrenchStop

Length

16.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Height

5.3mm

Automotive Standard

No

The Infineon IHW40N65R6 is the 650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfil demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.

Frequency range 20-75 kHz

Low EMI

Very tight parameter distribution

Maximum operating TJ of 175 °C

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