Infineon FP25R12W1T7B11BPSA1 IGBT Module, 25 A 1200 V EASY1B
- N° de stock RS:
- 218-4349
- Référence fabricant:
- FP25R12W1T7B11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | 34,051 € | 817,22 € |
| 48 + | 32,349 € | 776,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-4349
- Référence fabricant:
- FP25R12W1T7B11BPSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 25 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | EASY1B | |
| Channel Type | N | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 25 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type EASY1B | ||
Channel Type N | ||
The Infineon EasyPIM three phase input rectifier power integrated modules IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7 technology. It has collector emitter voltage of 1200 V and forward current of 25 A. It is used in auxiliary inverter, motor drives and air conditioning.
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
Optimized trade-off between losses and EMI
Compact design
PressFIT contact technology
Optimized trade-off between losses and EMI
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