Infineon FP10R12W1T7B11BOMA1 IGBT Module, 10 A 1200 V EASY1B
- N° de stock RS:
- 218-4345
- Référence fabricant:
- FP10R12W1T7B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 31,31 € |
| 2 - 4 | 29,74 € |
| 5 - 9 | 28,49 € |
| 10 - 24 | 27,24 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 218-4345
- Référence fabricant:
- FP10R12W1T7B11BOMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Maximum Continuous Collector Current | 10 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V | |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW | |
| Number of Transistors | 7 | |
| Package Type | EASY1B | |
| Channel Type | N | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Maximum Continuous Collector Current 10 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 1200 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 20V | ||
Maximum Power Dissipation 20 mW | ||
Number of Transistors 7 | ||
Package Type EASY1B | ||
Channel Type N | ||
The Infineon EasyPIM three phase input rectifier power integrated modules IGBT module with TRENCHSTOP IGBT7 technology. It has collector emitter voltage of 1200 V. It is used in auxiliary inverter, motor drives and air conditioning.
High power density
Compact design
PressFIT contact technology
Optimized trade-off between losses and EMI
Compact design
PressFIT contact technology
Optimized trade-off between losses and EMI
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