Infineon F3L25R12W1T4B27BOMA1 Series IGBT Module, 45 A 1200 V, 13-Pin EASY1B

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N° de stock RS:
218-4318
Référence fabricant:
F3L25R12W1T4B27BOMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Maximum Continuous Collector Current

45 A

Maximum Collector Emitter Voltage

1200 V

Maximum Gate Emitter Voltage

20V

Number of Transistors

4

Maximum Power Dissipation

215 W

Configuration

Series

Package Type

EASY1B

Channel Type

N

Pin Count

13

Transistor Configuration

Series

The Infineon EasyPack 3-level phase leg IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, NTC and PressFIT contact technology. It has collector emitter voltage of 1200 V. It is mainly used in solar applications.

Compact module concept
Optimized customer’s development cycle time and cost
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
Configuration flexibility

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