Infineon IKW20N60TFKSA1, Type N-Channel IGBT, 41 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6670
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-31-964
- Référence fabricant:
- IKW20N60TFKSA1
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 6,08 € | 30,40 € |
| 25 - 45 | 5,474 € | 27,37 € |
| 50 - 120 | 5,11 € | 25,55 € |
| 125 - 245 | 4,742 € | 23,71 € |
| 250 + | 4,376 € | 21,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6670
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-31-964
- Référence fabricant:
- IKW20N60TFKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 41A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 166W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 41.42mm | |
| Height | 5.21mm | |
| Standards/Approvals | JEDEC1 | |
| Width | 16.13mm | |
| Series | TRENCHSTOPTM | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 41A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 166W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 41.42mm | ||
Height 5.21mm | ||
Standards/Approvals JEDEC1 | ||
Width 16.13mm | ||
Series TRENCHSTOPTM | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon low loss duopack insulated-gate bipolar transistor in trenchstop and fieldstop technology.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference