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Infineon IKQ100N60TXKSA1 IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-46

N° de stock RS:: 215-6665
Référence fabricant:: IKQ100N60TXKSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IKQ100N60TXKSA1 IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-46

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N° de stock RS:: 215-6665
Référence fabricant:: IKQ100N60TXKSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Maximum Continuous Collector Current	160 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Maximum Power Dissipation	714 W
	Package Type	PG-TO247-3-46
	Pin Count	3

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Maximum Continuous Collector Current 160 A
	Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
	Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
	Maximum Power Dissipation 714 W
	Package Type PG-TO247-3-46
	Pin Count 3

Datasheet-IKQ100N60TXKSA1

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage has fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference

Infineon IKQ100N60TXKSA1 IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin PG-TO247-3-46

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