Infineon IKQ100N60TXKSA1, Type N-Channel IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 215-6665
- Référence fabricant:
- IKQ100N60TXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
8,30 €
(TVA exclue)
10,04 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 68 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 8,30 € |
| 5 - 9 | 7,64 € |
| 10 - 24 | 7,14 € |
| 25 - 49 | 6,73 € |
| 50 + | 6,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-6665
- Référence fabricant:
- IKQ100N60TXKSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 160A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 600V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 714W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 5.1mm | |
| Length | 41.2mm | |
| Series | TrenchStop | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 160A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 714W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.5V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 5.1mm | ||
Length 41.2mm | ||
Series TrenchStop | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage has fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.
High Efficiency
Low Switching Losses
Increased Reliability
Low Electromagnetic Interference