Infineon IKQ100N60TXKSA1, Type N-Channel IGBT, 160 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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215-6665
Référence fabricant:
IKQ100N60TXKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT

Maximum Continuous Collector Current Ic

160A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Maximum Power Dissipation Pd

714W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.5V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

41.2mm

Height

5.1mm

Standards/Approvals

No

Series

TrenchStop

Automotive Standard

No

The Infineon insulated-gate bipolar transistor with positive temperature coefficient in saturation voltage has fast recovery anti-parallel emitter controlled diode.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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