Infineon IKW15N120BH6XKSA1, N-Channel IGBT Single Transistor IC, 30 A 1.2 kV, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:
215-6667
Référence fabricant:
IKW15N120BH6XKSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

IGBT Single Transistor IC

Maximum Continuous Collector Current Ic

30A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

1.2kV

Maximum Power Dissipation Pd

200W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

2.3V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

16.13mm

Height

5.21mm

Length

42mm

Series

TrenchStop

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Automotive Standard

No

The Infineon sixth generation insulated-gate bipolar transistor of high speed soft switching series.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

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