onsemi AFGHL50T65SQD, Type N-Channel IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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Options de conditionnement :
N° de stock RS:
202-5675
Référence fabricant:
AFGHL50T65SQD
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

80A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

268W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

±3 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

AFGHL50T65SQD

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

AEC-Q101

The ON Semiconductor Field Stop Trench IGBT offers the optimum performance for both hard and soft switching topology in automotive application. It is a stand-alone IGBT.

AEC-Q101 qualified

High current capability

Fast switching

Tight parameter distribution

RoHS compliant

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