onsemi, Type N-Channel IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 tube de 30 unités)*

213,21 €

(TVA exclue)

257,97 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 23 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 307,107 €213,21 €
60 - 606,837 €205,11 €
90 +6,745 €202,35 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
214-8785
Référence fabricant:
AFGY100T65SPD
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Maximum Continuous Collector Current Ic

100A

Product Type

IGBT

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

650V

Maximum Power Dissipation Pd

660W

Package Type

TO-247

Mount Type

Through Hole

Channel Type

Type N

Pin Count

3

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Emitter Voltage VGEO

20 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT

1.6V

Maximum Operating Temperature

175°C

Series

AFGY100T65SPD

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The ON Semiconductor AFGY series is IGBT with soft fast recovery diode which offers very low conduction and switch losses for a high efficiency operation in various applications, rugged transient reliability and low EMI.

Tight parameter distribution

High input impedance

Short circuit ruggedness

Co−packed with soft fast recovery diode

Liens connexes