onsemi, Type N-Channel IGBT, 100 A 650 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
- N° de stock RS:
- 214-8785
- Référence fabricant:
- AFGY100T65SPD
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 214-8785
- Référence fabricant:
- AFGY100T65SPD
- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 100A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 660W | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type N | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | AEC-Q101 | |
| Series | AFGY100T65SPD | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 100A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 660W | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type N | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals AEC-Q101 | ||
Series AFGY100T65SPD | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The ON Semiconductor AFGY series is IGBT with soft fast recovery diode which offers very low conduction and switch losses for a high efficiency operation in various applications, rugged transient reliability and low EMI.
Tight parameter distribution
High input impedance
Short circuit ruggedness
Co−packed with soft fast recovery diode