onsemi, Type P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
- N° de stock RS:
- 178-4259
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
| 30 + | 3,362 € | 100,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-4259
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-247 G03 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type P | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | Field Stop 4th Generation | |
| Automotive Standard | No | |
| Energy Rating | 50mJ | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-247 G03 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type P | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series Field Stop 4th Generation | ||
Automotive Standard No | ||
Energy Rating 50mJ | ||
- Pays d'origine :
- CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC