onsemi, Type P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
- N° de stock RS:
- 178-4259
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricant:
- onsemi
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
82,17 €
(TVA exclue)
99,42 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 390 unité(s) expédiée(s) à partir du 13 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 + | 2,739 € | 82,17 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 178-4259
- Référence fabricant:
- FGH60T65SQD-F155
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current Ic | 60A | |
| Product Type | IGBT | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 650V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Package Type | TO-247 G03 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Channel Type | Type P | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT | 1.6V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage VGEO | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | Field Stop 4th Generation | |
| Energy Rating | 50mJ | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current Ic 60A | ||
Product Type IGBT | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 650V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Package Type TO-247 G03 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Channel Type Type P | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.6V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series Field Stop 4th Generation | ||
Energy Rating 50mJ | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s new series of field stop 4th generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.
Maximum Junction Temperature: TJ =175°C
Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating
High Current Capability
Low Saturation Voltage: VCE(sat) =1.6 V(Typ.) @ IC = 60 A
High Input Impedance
Fast Switching
Tighten Parameter Distribution
Applications
Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC