onsemi FGH4L50T65SQD IGBT, 200 A 650 V TO-247-4LD
- N° de stock RS:
- 241-0725
- Référence fabricant:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricant:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- N° de stock RS:
- 241-0725
- Référence fabricant:
- FGH4L50T65SQD
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Maximum Continuous Collector Current | 200 A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V | |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 15V | |
| Maximum Power Dissipation | 268 W | |
| Number of Transistors | 30 | |
| Package Type | TO-247-4LD | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Maximum Continuous Collector Current 200 A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage 650 V | ||
Maximum Gate Emitter Voltage 15V | ||
Maximum Power Dissipation 268 W | ||
Number of Transistors 30 | ||
Package Type TO-247-4LD | ||
The ON Semiconductor 650 V, 80 A FS4 high speed IGBT. This offer the optimum performance by balancing Vce(sat) and Eoff losses and controllable turnoff Vce overshoot. Well suited for solar inverter, UPS, EV charging stations, ESS and other high performance power conversion applications.
Positive temperature co-efficient
Easy paralleling operation
Low switching losses
Easy paralleling operation
Low switching losses
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